Siliziumkarbidplatte

Siliziumkarbid (SiC) ist ein vielseitiges Material mit einem breiten Anwendungsspektrum. Dieses moderne Keramikmaterial bietet außergewöhnliche Härte, Festigkeit und Hitzebeständigkeit.
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Beschreibung

Sie können Siliziumkarbidplatten beruhigt von unserer Fabrik kaufen und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Und wir haben das Vertrauen von Kunden in vielen Ländern im In- und Ausland aufgrund ihrer offensichtlichen Vorteile in Bezug auf Produktqualität und Lieferzeit gewonnen. Siliziumkarbid (SiC) ist ein leichtes Keramikmaterial mit hochfesten Eigenschaften, die mit Diamant vergleichbar sind. Siliziumkarbidplatten haben eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeausdehnung und sind korrosionsbeständig gegenüber Säuren.

Siliziumkarbid (SiC) ist für seine herausragenden Eigenschaften bekannt. Mit einer Mohshärte, die nur von Diamant übertroffen wird, ist SiC eines der härtesten Materialien und weist eine hervorragende Verschleißfestigkeit auf. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und macht es ideal für Hochtemperaturanwendungen. Darüber hinaus sorgt die chemische Beständigkeit von Siliziumkarbid für Haltbarkeit in rauen Umgebungen, während seine Hochtemperaturstabilität es ihm ermöglicht, seine Festigkeit und Integrität unter extremen Bedingungen beizubehalten. SiC weist außerdem eine geringe Wärmeausdehnung auf, wodurch das Risiko eines Bruchs aufgrund thermischer Belastung minimiert wird. Darüber hinaus ist SiC als Halbleiter in elektronischen Anwendungen wertvoll, insbesondere für Hochspannungs- und Hochtemperaturgeräte, was seine Vielseitigkeit und Bedeutung in fortschrittlichen Technologien erhöht.

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Eigenschaften von Siliziumkarbidplatten

 

Zusammengesetzte Formel

Sic

Molekulargewicht

40.1

Aussehen

Blätter

Schmelzpunkt

N/A

Siedepunkt

N/A

Dichte

3,22 g/cm3

Löslichkeit in H2O

N/A

Genaue Masse

39.976927

Monoisotopenmasse

39.976927

 

 


Al2O 3

ZrO2/Y2O3

ZrO2/MgO

MgO

Sic

Si3N4 Reaktionsgesintert

Si3N4 Heißgepresst

ALN

Physikalische Eigenschaften

 

 

 

 

 

 

 

 

Dichte (g/cm3)

3,9

5,9

5,75

3,58

3,2

3,27

3,29

3,26

Molekulargewicht (g/mol)

102

-

-

40,4

40,1

140

140

41

Maximale Betriebstemperatur Luft ( Grad )

1700- 1800

1500

1000

2200

1500

1200- 1500

1100- 1600

1000- 1800

Mechanische Eigenschaften

 

 

 

 

 

 

 

 

Härte (Mohs)

9

-

-

5,5

9

-

-

7

Elastizitätsmodul (GPa)

300-400

200

200

250-300

420

170-220

280-310

318

Poissonzahl

0,25

-

-

0,18

0,14

0,25-0,26

0,27

0,25

Bruchzähigkeit (MPa.m1/2)

2-3

7-13

6-10

-

2,5-3,5

3,5-5

6,1

4,5

Elektrische Eigenschaften

 

 

 

 

 

 

 

 

Dielektrizitätskonstante

9-10

-

-

9-10

-

10

10

9,2

Elektrischer Widerstand bei 20 Grad (Ohm. cm)

>10 14

10 13-10 14

>10 10

-

10 2-10 6

>10 7

10 12- 10 15

>10 14

Durchschlagsfestigkeit (kV/mm)

10-20

9

2-10

-

-

-

-

15

Thermische Eigenschaften

 

 

 

 

 

 

 

 

Spezifische Wärmekapazität (J/K/kg)

900

400-500

420

870-880

750

690

680-800

800

Wärmeleitfähigkeit (W/m/K) bei 20 Grad

26-35

2,2-3,2

1,5-2,5

40-50

63-155

9-30

15-43

180

Wärmeausdehnungskoeffizient ( 10-6) von 20 bis 1000 Grad

8-9

10-11

5-16

10-13

4-5

3

3,3

4,4-5,3

Schmelzpunkt (Grad)

2050

2590

-

2800

2500

1900

1900

2200

 

 

Vorteile der AGRM Siliziumkarbidplatte

1. Extrem hohe Härte

2. Verschleißfest

3. Korrosionsbeständig

4. Leichtgewicht – Geringe Dichte

5. Hohe Wärmeleitfähigkeit

6. Hoher Elastizitätsmodul

7. Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient

8. Chemisch und thermisch beständig

9. Hervorragende Temperaturschockbeständigkeit

10. Brechungsindex höher als bei einem Diamanten

Herstellung von Siliziumkarbidplatten

Siliziumkarbidplatten werden typischerweise durch folgende Verfahren hergestellt:

Sintern: Pulverförmiges SiC wird in die gewünschte Form gepresst und anschließend in einem Ofen auf eine hohe Temperatur erhitzt.

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD): Ein chemischer Prozess in der Gasphase, bei dem ein festes Material aus einem Dampf abgeschieden wird, um hochreines und leistungsstarkes SiC zu erzeugen.

Verfügbarkeit von Siliziumkarbidplatten

SiC-Platten sind in verschiedenen Güteklassen, Stärken und Größen erhältlich, um spezifischen Anforderungen gerecht zu werden. Sie können von Herstellern bezogen werden, die auf Hochleistungskeramik und Halbleitermaterialien spezialisiert sind.

Berücksichtigen Sie bei der Auswahl einer Siliziumkarbidplatte für eine bestimmte Anwendung die erforderlichen mechanischen Eigenschaften, die thermische und chemische Beständigkeit sowie die Umgebungsbedingungen, denen sie ausgesetzt sein wird.

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Häufig gestellte Fragen

F: Ist der Preis wettbewerbsfähig?

A: Wir haben unsere Fabrik. Dank eines starken Produktions- und Vertriebssystems versprechen wir, unseren Kunden den wettbewerbsfähigsten Preis anzubieten.

F: Sind die Produkte von hoher Qualität?

A: Ja. Alle Produkte werden vor der Massenproduktion getestet und wir überprüfen die physikalischen Eigenschaften, Form und Toleranz, um vor dem Versand qualifizierte Produkte sicherzustellen.

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